PhotoMOS是指在输入元件中采用LED,在输出元件中采用 MOSFET的光电耦合器的半导体继电器。由于提高了可靠性,并实现了小型化,因此应用于各个领域。
Part Number | Status | Package | Tech Type | Channels | Voffset | RON(mΩ max)typ | RON(mΩ max)max | Ton (ms) CL=250pf （typ） | Toff (ms) CL=250pf （typ） | Chip Cost （￥/unit） | Min Package Qty | Price (￥/unit) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CRM1NH006A | New | SMD4 | Photo Mos | 1 | 60V | 120 | 140 | 1 | 0.2 | |||
| CRM1NS040A | New | SOP4 | Photo Mos | 1 | 400V | 15000 | 20000 | 1 | 0.2 | |||
| CRM1NY040A | Active | DIP4 | Photo Mos | 1 | 400V | 15000 | 20000 | 1 | 0.2 | |||
| CRM2NE006A | New | SMD8 | Photo Mos | 2 | 60V | 120 | 140 | 1 | 0.2 | |||
| CRM2NW006A | New | DIP8 | Photo Mos | 2 | 60V | 120 | 140 | 1 | 0.2 |